DMC3016LNS-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMC3016LNS-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC3016LNS-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.016 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote DMC3016LNS-7 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMC3016LNS-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
DMC3016LNS-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V |
auf Bestellung 2133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
DMC3016LNS-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3016LNS-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.016 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1869 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
DMC3016LNS-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3016LNS-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.016 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1869 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMC3016LNS-7 |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 14+ | 1.28 EUR |
| 21+ | 0.86 EUR |
| 100+ | 0.59 EUR |
| 500+ | 0.47 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| DMC3016LNS-7 |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
MOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.59 EUR |
| 10+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| 2000+ | 0.39 EUR |
| 4000+ | 0.37 EUR |
| DMC3016LNS-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3016LNS-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC3016LNS-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMC3016LNS-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3016LNS-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC3016LNS-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



