DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated
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Technische Details DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.016 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote DMC3016LSD-13 nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMC3016LSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.016 ohmtariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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DMC3016LSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.016 ohmtariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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DMC3016LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 8.2/-6.2A Power dissipation: 1.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.028/0.016Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
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| DMC3016LSD-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.016 ohm
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.016 ohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 98+ | 2.57 EUR |
| 156+ | 1.49 EUR |
| 239+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
| DMC3016LSD-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.016 ohm
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Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.016 ohm
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Bauform - Transistor: SOIC
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.57 EUR |
| 156+ | 1.49 EUR |
| 239+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
| DMC3016LSD-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.2/-6.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.028/0.016Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.2/-6.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.028/0.016Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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