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DMC3025LSDQ-13

DMC3025LSDQ-13 Diodes Zetex

118dmc3025lsdq.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMC3025LSDQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMC3025LSDQ-13 DMC3025LSDQ-13 Diodes Zetex 118dmc3025lsdq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
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DMC3025LSDQ-13 DMC3025LSDQ-13 Diodes Zetex 118dmc3025lsdq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
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DMC3025LSDQ-13 DMC3025LSDQ-13 Diodes Zetex 118dmc3025lsdq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
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5000+0.55 EUR
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DMC3025LSDQ-13 DMC3025LSDQ-13 Diodes Incorporated DMC3025LSDQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
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10+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
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DMC3025LSDQ-13 DMC3025LSDQ-13 Diodes Incorporated DMC3025LSDQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V, 590pF @ 25V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.5 EUR
25+1.26 EUR
50+1.11 EUR
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DMC3025LSDQ-13 DMC3025LSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
147+1.58 EUR
238+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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DMC3025LSDQ-13 DMC3025LSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.02 ohm
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euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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147+1.58 EUR
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5000+0.55 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
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2+1.93 EUR
10+1.21 EUR
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1000+0.56 EUR
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V
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Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
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Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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25+1.26 EUR
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DMC3025LSDQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+2.77 EUR
147+1.58 EUR
238+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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DMC3025LSDQ-13 DIOD-S-A0004145130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3025LSDQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.77 EUR
147+1.58 EUR
238+0.9 EUR
500+0.71 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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