Produkte > DIODES INCORPORATED > DMC3028LSDXQ-13
DMC3028LSDXQ-13

DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated


DMC3028LSDXQ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMC3028LSDXQ-13 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMC3028LSDXQ-13 DMC3028LSDXQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMC3028LSDXQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 16976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.16 EUR
18+1.02 EUR
100+0.70 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSDXQ-13 DMC3028LSDXQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMC3028LSDXQ.pdf MOSFETs Comp Pair Enh FET 30Vdss 20Vgss
auf Bestellung 8129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.22 EUR
10+0.99 EUR
100+0.68 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.50 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSDXQ-13 DMC3028LSDXQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001705553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSDXQ-13 DMC3028LSDXQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001705553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSDXQ-13 DMC3028LSDXQ-13 Hersteller : Diodes Zetex 979dmc3028lsdxq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSDXQ-13 DMC3028LSDXQ-13 Hersteller : Diodes Inc 979dmc3028lsdxq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSDXQ-13 DMC3028LSDXQ-13 Hersteller : Diodes Zetex 979dmc3028lsdxq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH