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DMC4040SSD-13

DMC4040SSD-13 Diodes Incorporated


ds32120.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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Technische Details DMC4040SSD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC4040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMC4040SSD-13 DMC4040SSD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B620BF7B371BF&compId=DMC4040SSD-13.pdf?ci_sign=5426a6483a06679a3718b4ffea5f592d0cd6dc55 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 7.3/-7.5A
On-state resistance: 0.04/0.045Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
77+0.94 EUR
151+0.47 EUR
160+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52
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DMC4040SSD-13 DMC4040SSD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B620BF7B371BF&compId=DMC4040SSD-13.pdf?ci_sign=5426a6483a06679a3718b4ffea5f592d0cd6dc55 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 7.3/-7.5A
On-state resistance: 0.04/0.045Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMC4040SSD-13 DMC4040SSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds32120-3513019.pdf MOSFETs MOSFET COMP NPN
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Anzahl Preis
2+2.01 EUR
10+0.84 EUR
100+0.62 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DMC4040SSD-13 DMC4040SSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds32120.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 6011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.04 EUR
14+1.29 EUR
100+0.8 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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DMC4040SSD-13 DMC4040SSD-13 Hersteller : DIODES INC. ds32120.pdf Description: DIODES INC. - DMC4040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMC4040SSD-13 DMC4040SSD-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001166649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC4040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMC4040SSD-13 DMC4040SSD-13 Hersteller : Diodes Inc 220ds32120.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-Pin SO T/R
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