Produkte > DIODES ZETEX > DMG1012T-7
DMG1012T-7

DMG1012T-7 Diodes Zetex

dmg1012t.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 669000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMG1012T-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 280mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm.

Weitere Produktangebote DMG1012T-7 nach Preis ab 0.078 EUR bis 1.64 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 669000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 243000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 309000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 309000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Zetex dmg1012t.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 243000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 DIODES/ZETEX info-tdmg1012t-7.pdf N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 29600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 DIODES/ZETEX info-tdmg1012t-7.pdf N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 DIODES INCORPORATED DMG1012T-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 11174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
262+0.27 EUR
368+0.19 EUR
428+0.17 EUR
589+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
1500+0.1 EUR
3000+0.094 EUR
9000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
auf Bestellung 272721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.34 EUR
21000+0.33 EUR
30000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Incorporated DMG1012T.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523
auf Bestellung 334845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.41 EUR
10+0.4 EUR
100+0.39 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
auf Bestellung 272816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.64 EUR
18+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 DIODES INC. DMG1012T.pdf Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1054378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 DIODES INC. DMG1012T.pdf Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1054378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-7 DIODES INC. DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 dmg1012t.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 669000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 TDMG1012T-7_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 dmg1012t.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 dmg1012t.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 243000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 dmg1012t.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 309000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 dmg1012t.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 dmg1012t.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 dmg1012t.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 309000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 dmg1012t.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 243000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 info-tdmg1012t-7.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 29600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 info-tdmg1012t-7.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T-DTE.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 11174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
200+0.36 EUR
262+0.27 EUR
368+0.19 EUR
428+0.17 EUR
589+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
1500+0.1 EUR
3000+0.094 EUR
9000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
auf Bestellung 272721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.4 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.34 EUR
21000+0.33 EUR
30000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523
auf Bestellung 334845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
7+0.41 EUR
10+0.4 EUR
100+0.39 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
auf Bestellung 272816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
11+1.64 EUR
18+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1054378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1054378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG1012T-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH