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DMG1012T-7

DMG1012T-7 HXY MOSFET

TDMG1012T-7_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details DMG1012T-7 HXY MOSFET

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 280mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMG1012T-7 DMG1012T-7 DIODES/ZETEX info-tdmg1012t-7.pdf N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 14944 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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DMG1012T-7 DMG1012T-7 DIODES/ZETEX info-tdmg1012t-7.pdf N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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DMG1012T-7 DMG1012T-7 DIODES INC. DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMG1012T-7 DMG1012T-7 DIODES INCORPORATED DMG1012T-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.43 EUR
262+0.32 EUR
368+0.23 EUR
428+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.52 EUR
9000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Incorporated DMG1012T.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523
auf Bestellung 214198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.42 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
auf Bestellung 153195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
16+1.32 EUR
25+1.11 EUR
50+0.98 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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DMG1012T-7 DMG1012T-7 DIODES INC. DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1046776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
220+1.06 EUR
367+0.58 EUR
511+0.42 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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DMG1012T-7 DMG1012T-7 DIODES INC. DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1046776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.25 EUR
220+1.06 EUR
367+0.58 EUR
511+0.42 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMG1012T-7 info-tdmg1012t-7.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 14944 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 info-tdmg1012t-7.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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DMG1012T-7 DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG1012T-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMG1012T-7 DMG1012T-DTE.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.43 EUR
262+0.32 EUR
368+0.23 EUR
428+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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DMG1012T-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.52 EUR
9000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMG1012T-7 DMG1012T.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523
auf Bestellung 214198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.7 EUR
10+0.42 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DMG1012T.pdf
DMG1012T-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
auf Bestellung 153195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.09 EUR
16+1.32 EUR
25+1.11 EUR
50+0.98 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG1012T-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1046776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+3.25 EUR
220+1.06 EUR
367+0.58 EUR
511+0.42 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7 DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG1012T-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1046776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.25 EUR
220+1.06 EUR
367+0.58 EUR
511+0.42 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH