DMG1012TQ-7

DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated


DMG1012T.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3717000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 280mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMG1012TQ-7 nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.29 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3022+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3022
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3059+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3059
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 2349000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3718998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.21 EUR
127+0.14 EUR
233+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006455650_1-2542645.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS:
auf Bestellung 300599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+0.23 EUR
20+0.14 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG1012T-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
245+0.29 EUR
312+0.23 EUR
500+0.14 EUR
856+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 245
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG1012T-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
245+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 245
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0006455650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0006455650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 280mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 Hersteller : Diodes Inc ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH