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DMG1012UW-7

DMG1012UW-7 JGSEMI

TDMG1012uw_JGS_JGSEMI_0001.pdf
Hersteller: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; DMG1012UW-7 JGSEMI TDMG1012uw JGS
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Technische Details DMG1012UW-7 JGSEMI

Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 290mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 DIODES INC. 1915877.pdf Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
559+0.45 EUR
807+0.29 EUR
1600+0.13 EUR
1767+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 559 Stücke
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323
auf Bestellung 289715 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.35 EUR
100+0.24 EUR
500+0.21 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 DIODES INC. 1915877.pdf Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DMG1012UW-7
Hersteller: DIODES INC.
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323
auf Bestellung 289715 Stücke:
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10+0.35 EUR
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DMG1012UW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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