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DMG1012UW-7

DMG1012UW-7 Diodes Zetex

ds31859.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details DMG1012UW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 290mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
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6000+0.053 EUR
9000+0.045 EUR
15000+0.042 EUR
21000+0.039 EUR
30000+0.036 EUR
75000+0.034 EUR
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6000+0.057 EUR
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.084 EUR
6000+0.075 EUR
9000+0.071 EUR
15000+0.066 EUR
21000+0.063 EUR
30000+0.06 EUR
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
auf Bestellung 122755 Stücke:
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42+0.42 EUR
69+0.26 EUR
111+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323
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13+0.23 EUR
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3000+0.074 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : DIODES INC. 1915877.pdf Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : DIODES INC. 1915877.pdf Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8768 Stücke:
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Inc ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 498000 Stücke:
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DMG1012UW-7 Hersteller : JGSEMI DMG1012UW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; DMG1012UW-7 JGSEMI TDMG1012uw JGS
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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500+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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DMG1012UW-7 Hersteller : DIODES/ZETEX DMG1012UW.pdf N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DMG1012UW-7 Hersteller : DIODES/ZETEX DMG1012UW.pdf N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DMG1012UW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG1012UW.pdf DMG1012UW-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3013 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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274+0.26 EUR
1516+0.047 EUR
1603+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 274
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