DMG1013TQ-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details DMG1013TQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 460, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 270, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270, Bauform - Transistor: SOT-523, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DMG1013TQ-7 nach Preis ab 0.076 EUR bis 0.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMG1013TQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 |
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DMG1013TQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 270 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 270 Bauform - Transistor: SOT-523 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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DMG1013TQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 270 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013TQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K |
auf Bestellung 222776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1013TQ-7 | Hersteller : Diodes Inc |
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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DMG1013TQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.33A On-state resistance: 1.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.27W Polarisation: unipolar Gate charge: 580pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -6A Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMG1013TQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMG1013TQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.33A On-state resistance: 1.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.27W Polarisation: unipolar Gate charge: 580pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -6A |
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