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DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7 Diodes Zetex

ds31860.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 261000 Stücke:
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Technische Details DMG1016UDW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
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3000+0.11 EUR
9000+0.069 EUR
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
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998+0.17 EUR
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 DIODES INCORPORATED DMG1016UDW-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.49 EUR
237+0.36 EUR
348+0.25 EUR
410+0.2 EUR
596+0.14 EUR
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated DMG1016UDW.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1265 Stücke:
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31+0.69 EUR
50+0.43 EUR
100+0.26 EUR
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1000+0.18 EUR
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
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241+0.73 EUR
339+0.5 EUR
342+0.48 EUR
923+0.17 EUR
998+0.15 EUR
1020+0.14 EUR
1842+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated DMG1016UDW.pdf MOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
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5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0014467429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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328+0.76 EUR
466+0.5 EUR
981+0.21 EUR
1038+0.2 EUR
1500+0.19 EUR
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0014467429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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300+0.83 EUR
437+0.54 EUR
807+0.26 EUR
1099+0.19 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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24000+0.055 EUR
45000+0.052 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 207000 Stücke:
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3000+0.11 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
923+0.19 EUR
998+0.17 EUR
1842+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 923 Stücke
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DMG1016UDW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 632 Stücke:
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237+0.36 EUR
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410+0.2 EUR
596+0.14 EUR
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DMG1016UDW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+0.69 EUR
50+0.43 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
241+0.73 EUR
339+0.5 EUR
342+0.48 EUR
923+0.17 EUR
998+0.15 EUR
1020+0.14 EUR
1842+0.074 EUR
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MOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
auf Bestellung 84321 Stücke:
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500+0.21 EUR
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DMG1016UDW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8849 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
328+0.76 EUR
466+0.5 EUR
981+0.21 EUR
1038+0.2 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 328 Stücke
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DMG1016UDW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 16090 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
300+0.83 EUR
437+0.54 EUR
807+0.26 EUR
1099+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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