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DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7 Diodes Zetex

ds31860.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details DMG1016UDW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG1016UDW.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6A63C43851BF&compId=DMG1016UDW-7.pdf?ci_sign=85e050a79199460f73a9bb43f2150054fede3a16 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
256+0.28 EUR
369+0.19 EUR
439+0.16 EUR
867+0.083 EUR
916+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6A63C43851BF&compId=DMG1016UDW-7.pdf?ci_sign=85e050a79199460f73a9bb43f2150054fede3a16 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG1016UDW.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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241+0.6 EUR
339+0.41 EUR
342+0.39 EUR
923+0.14 EUR
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1842+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 241
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004565582_1-2542502.pdf MOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
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10+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014467429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014467429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Hersteller : Diodes Inc ds31860.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 207000 Stücke:
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