DMG1016UDW-7 Diodes Zetex
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Technische Details DMG1016UDW-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote DMG1016UDW-7 nach Preis ab 0.047 EUR bis 0.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R |
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DMG1016UDW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R |
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DMG1016UDW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
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DMG1016UDW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R |
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DMG1016UDW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.85/-1.07A On-state resistance: 0.45/0.75Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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DMG1016UDW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.85/-1.07A On-state resistance: 0.45/0.75Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V |
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DMG1016UDW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R |
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DMG1016UDW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair |
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DMG1016UDW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
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DMG1016UDW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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DMG1016UDW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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DMG1016UDW-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 207000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) |
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DMG1016UDW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R |
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