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Technische Details DMG1026UV-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 580mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 580mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMG1026UV-7 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DMG1026UV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 580mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.58W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Case: SOT563 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 823 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.58W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Case: SOT563 |
auf Bestellung 823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K |
auf Bestellung 128422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 580mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
auf Bestellung 944113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 580mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 580mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 580mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 580mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 65003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMG1026UV-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |