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DMG1029SV-7

DMG1029SV-7 Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
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Technische Details DMG1029SV-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 450mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 450mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
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DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Diodes Incorporated 31_dmg1029sv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
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495+0.35 EUR
516+0.32 EUR
678+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 369 Stücke
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DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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299+0.58 EUR
355+0.48 EUR
369+0.44 EUR
495+0.31 EUR
516+0.29 EUR
678+0.21 EUR
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DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 DIODES INCORPORATED DMG1029SV-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Power dissipation: 0.66W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1710 Stücke:
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112+0.76 EUR
143+0.6 EUR
173+0.49 EUR
302+0.29 EUR
374+0.23 EUR
511+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Diodes Incorporated 31_dmg1029sv.pdf MOSFETs 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA
auf Bestellung 68285 Stücke:
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4+1.12 EUR
10+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Diodes Incorporated 31_dmg1029sv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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19+1.13 EUR
30+0.7 EUR
100+0.45 EUR
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DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 DIODES INC. DIODS20272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2599 Stücke:
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212+1.18 EUR
421+0.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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DMG1029SV-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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6000+0.15 EUR
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30000+0.13 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
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DMG1029SV-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 186000 Stücke:
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Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
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Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
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516+0.32 EUR
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3000+0.17 EUR
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Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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355+0.48 EUR
369+0.44 EUR
495+0.31 EUR
516+0.29 EUR
678+0.21 EUR
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3000+0.14 EUR
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Power dissipation: 0.66W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA
auf Bestellung 68285 Stücke:
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10+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 188307 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
19+1.13 EUR
30+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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DMG1029SV-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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516+0.42 EUR
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