Produkte > Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld > DMG2305UX-13

DMG2305UX-13

DMG2305UX.pdf
Produktcode: 181611
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote DMG2305UX-13 nach Preis ab 0.058 EUR bis 2.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
auf Bestellung 190000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.076 EUR
20000+0.069 EUR
30000+0.066 EUR
50000+0.062 EUR
70000+0.06 EUR
100000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
auf Bestellung 193195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.46 EUR
64+0.28 EUR
103+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.1 EUR
5000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
auf Bestellung 60651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Diodes Inc./Zetex DMG2305UX.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013120650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 72501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013120650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 72501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX.pdf
DMG2305UX-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
auf Bestellung 190000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
10000+0.076 EUR
20000+0.069 EUR
30000+0.066 EUR
50000+0.062 EUR
70000+0.06 EUR
100000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX.pdf
DMG2305UX-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
auf Bestellung 193195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
39+0.46 EUR
64+0.28 EUR
103+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.1 EUR
5000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX.pdf
DMG2305UX-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
auf Bestellung 60651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
5+0.64 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX.pdf
DMG2305UX-13
Hersteller: Diodes Inc./Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 dmg2305ux.pdf
DMG2305UX-13
Hersteller: Diodes Zetex
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DIOD-S-A0013120650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG2305UX-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 72501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DIOD-S-A0013120650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG2305UX-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 72501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH