Produkte > DIODES ZETEX > DMG2305UX-13
DMG2305UX-13

DMG2305UX-13 Diodes Zetex

dmg2305ux.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMG2305UX-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote DMG2305UX-13 nach Preis ab 0.052 EUR bis 1.1 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Hersteller : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
auf Bestellung 4074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1977+0.073 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1977
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13
Produktcode: 181611
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

DMG2305UX.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Hersteller : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.062 EUR
30000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Hersteller : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.062 EUR
30000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Hersteller : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Hersteller : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
auf Bestellung 4074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1977+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 1977
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
auf Bestellung 183411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.42 EUR
12+0.24 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2500+0.093 EUR
10000+0.083 EUR
20000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.44 EUR
63+0.28 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
2000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013120650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 192579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013120650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 193919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 Hersteller : DIODES/ZETEX DMG2305UX.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf Транзистор польовий SOT-23-3 P-Ch Vdss=-20V, Id=3,3A, Rdson=0.052 Ohm, Vgs=-4,5 V;
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 Hersteller : Diodes Inc./Zetex DMG2305UX.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Hersteller : Diodes Inc dmg2305ux.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG2305UX.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG2305UX.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH