DMG3414UQ-7 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 210+ | 1.19 EUR |
| 325+ | 0.71 EUR |
| 468+ | 0.46 EUR |
| 622+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
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Technische Details DMG3414UQ-7 DIODES INC.
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 780mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote DMG3414UQ-7 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMG3414UQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG3414UQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
auf Bestellung 42640 Stücke: Lieferzeit 234-238 Tag (e) |
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| DMG3414UQ-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
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Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 210+ | 1.19 EUR |
| 325+ | 0.71 EUR |
| 468+ | 0.46 EUR |
| 622+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| DMG3414UQ-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 42640 Stücke:
Lieferzeit 234-238 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 1.62 EUR |
| 10+ | 0.93 EUR |
| 100+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 3000+ | 0.32 EUR |