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DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7 Diodes Zetex

dmg3415ufy4q.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
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Technische Details DMG3415UFY4Q-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 16V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: X2-DFN2015, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 Hersteller : Diodes Zetex dmg3415ufy4q.pdf Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
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DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG3415UFY4Q.pdf Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
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DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 Hersteller : Diodes Zetex dmg3415ufy4q.pdf Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
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DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG3415UFY4Q.pdf MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
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DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG3415UFY4Q.pdf Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
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DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013066212-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013066212-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 Hersteller : Diodes Inc 101dmg3415ufy4q.pdf Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R
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DMG3415UFY4Q-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG3415UFY4Q.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.35W
Case: X2-DFN2015-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
Pulsed drain current: -12A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG3415UFY4Q-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG3415UFY4Q.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.35W
Case: X2-DFN2015-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
Pulsed drain current: -12A
Application: automotive industry
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