Technische Details DMG3415UFY4Q-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 16V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: X2-DFN2015, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DMG3415UFY4Q-7 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 402000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 1992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 1992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W |
auf Bestellung 9524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
DMG3415UFY4Q-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
DMG3415UFY4Q-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| DMG3415UFY4Q-7 |
|
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 402000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.23 EUR |
| DMG3415UFY4Q-7 |
|
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 836+ | 0.36 EUR |
| DMG3415UFY4Q-7 |
|
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 836+ | 0.36 EUR |
| DMG3415UFY4Q-7 |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
auf Bestellung 9524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.58 EUR |
| 10+ | 0.81 EUR |
| 100+ | 0.7 EUR |
| DMG3415UFY4Q-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 157+ | 1.59 EUR |
| 287+ | 0.81 EUR |
| 417+ | 0.51 EUR |
| 521+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| DMG3415UFY4Q-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 157+ | 1.59 EUR |
| 287+ | 0.81 EUR |
| 417+ | 0.51 EUR |
| 521+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |