DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.25 EUR |
| 6000+ | 0.23 EUR |
| 9000+ | 0.22 EUR |
| 15000+ | 0.2 EUR |
| 30000+ | 0.19 EUR |
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Technische Details DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 16V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: X2-DFN2015, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DMG3415UFY4Q-7 nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DMG3415UFY4Q-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 1992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG3415UFY4Q-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 1992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG3415UFY4Q-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN2015-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 33532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG3415UFY4Q-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W |
auf Bestellung 11236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG3415UFY4Q-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG3415UFY4Q-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG3415UFY4Q-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMG3415UFY4Q-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -16V Drain current: -2.2A Power dissipation: 1.35W Case: X2-DFN2015-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 10nC Pulsed drain current: -12A Application: automotive industry |
Produkt ist nicht verfügbar |