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DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13 Diodes Zetex

0ds32137.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMG4466SSS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.42W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Diodes Zetex 0ds32137.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
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DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated ds32137.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
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auf Bestellung 2499 Stücke:
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613+0.29 EUR
1049+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 613 Stücke
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Mindestbestellmenge: 613 Stücke
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DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated ds32137.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
31+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated ds32137.pdf MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
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10+0.64 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 DIODES INC. ds32137.pdf Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
313+0.74 EUR
663+0.32 EUR
695+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 DIODES INC. ds32137.pdf Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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313+0.74 EUR
663+0.32 EUR
695+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
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auf Bestellung 4927 Stücke:
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DMG4466SSS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2500+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMG4466SSS-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1049+0.17 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2499 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
613+0.29 EUR
1049+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 613 Stücke
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DMG4466SSS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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31+0.68 EUR
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500+0.32 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
auf Bestellung 4350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.01 EUR
10+0.64 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.21 EUR
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DMG4466SSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
195+1.29 EUR
313+0.74 EUR
663+0.32 EUR
695+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 ds32137.pdf
DMG4466SSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
195+1.29 EUR
313+0.74 EUR
663+0.32 EUR
695+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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