Produkte > DIODES ZETEX > DMG4466SSS-13
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13 Diodes Zetex

0ds32137.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 82500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMG4466SSS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.42W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMG4466SSS-13 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.85 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 0ds32137.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 4927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
872+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 872
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds32137.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 0ds32137.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
613+0.24 EUR
1049+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 613
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 0ds32137.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
613+0.24 EUR
1049+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 613
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds32137.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
auf Bestellung 11484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+0.76 EUR
31+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds32137.pdf MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
auf Bestellung 4350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.85 EUR
10+0.54 EUR
100+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Hersteller : DIODES INC. ds32137.pdf Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Hersteller : DIODES INC. ds32137.pdf Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 0ds32137.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Hersteller : Diodes Inc 0ds32137.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds32137.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds32137.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH