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DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13 Diodes Zetex

2879ds32048.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
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Technische Details DMG4496SSS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.42W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Diodes Zetex 2879ds32048.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
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DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Diodes Incorporated ds32048.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
326+0.54 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
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DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Diodes Incorporated ds32048.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
36+0.58 EUR
100+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 DIODES INC. DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.99 EUR
323+0.71 EUR
592+0.36 EUR
618+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 DIODES INC. DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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323+0.71 EUR
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DMG4496SSS-13 Diodes INC. DMG4496SSS_DiodesINC.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10, Ptot, Вт = 1,42, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 493,5 @ 15, Qg, нКл = 10,2 @ 10 В, Rds = 21,5 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
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auf Bestellung 32500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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1019+0.17 EUR
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DMG4496SSS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Diodes Zetex
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auf Bestellung 1125 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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36+0.58 EUR
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500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
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DMG4496SSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1025 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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323+0.71 EUR
592+0.36 EUR
618+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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DMG4496SSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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1000+0.3 EUR
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Hersteller: Diodes INC.
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10, Ptot, Вт = 1,42, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 493,5 @ 15, Qg, нКл = 10,2 @ 10 В, Rds = 21,5 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
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