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Technische Details DMG4800LFG-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940mW, Bauform - Transistor: DFN3030, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMG4800LFG-7 nach Preis ab 0.22 EUR bis 0.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMG4800LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN3030-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V |
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DMG4800LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN3030-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V |
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DMG4800LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A |
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DMG4800LFG-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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DMG4800LFG-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG4800LFG-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMG4800LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.82A; Idm: 40A; 940mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.82A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 0.94W Case: U-DFN3030-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| DMG4800LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.82A; Idm: 40A; 940mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.82A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 0.94W Case: U-DFN3030-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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