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DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13 Diodes Zetex

ds31959.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
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2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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Technische Details DMG4800LK3-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG4800LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMG4800LK3-13 DMG4800LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31959.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.34 EUR
5000+0.32 EUR
7500+0.31 EUR
12500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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DMG4800LK3-13 DMG4800LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31959.pdf MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A
auf Bestellung 8145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.34 EUR
10+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.33 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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DMG4800LK3-13 DMG4800LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31959.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
auf Bestellung 35006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.37 EUR
21+0.86 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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DMG4800LK3-13 DMG4800LK3-13 Hersteller : DIODES INC. ds31959.pdf Description: DIODES INC. - DMG4800LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMG4800LK3-13 DMG4800LK3-13 Hersteller : DIODES INC. ds31959.pdf Description: DIODES INC. - DMG4800LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMG4800LK3-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31959.pdf DMG4800LK3-13 SMD N channel transistors
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