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DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13 Diodes Zetex

dmg4822ssdq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 575000 Stücke:
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2500+0.43 EUR
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Technische Details DMG4822SSDQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMG4822SSDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 582500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
7500+0.49 EUR
12500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMG4822SSDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 589853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.41 EUR
15+1.22 EUR
100+0.84 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004567137_1-2542608.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 3423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.46 EUR
10+1.13 EUR
100+0.78 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 Hersteller : DIODES INC. DMG4822SSDQ.pdf Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 Hersteller : DIODES INC. DMG4822SSDQ.pdf Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2480 Stücke:
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DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmg4822ssdq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
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DMG4822SSDQ-13 Hersteller : Diodes Inc dmg4822ssdq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SO T/R
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DMG4822SSDQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG4822SSDQ.pdf DMG4822SSDQ-13 Multi channel transistors
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