DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Mindestmenge:
3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG6402LDM-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.022 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.12W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.
Weitere Produktangebote DMG6402LDM-7 nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMG6402LDM-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V |
auf Bestellung 9763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
DMG6402LDM-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-26 |
auf Bestellung 3192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
DMG6402LDM-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6402LDM-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.022 ohm, SOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.12W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 1461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| DMG6402LDM-7 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
auf Bestellung 9763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 0.75 EUR |
| 43+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.33 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| DMG6402LDM-7 |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-26
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-26
auf Bestellung 3192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.88 EUR |
| 10+ | 0.61 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 9000+ | 0.19 EUR |
| DMG6402LDM-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6402LDM-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.022 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.12W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: DIODES INC. - DMG6402LDM-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.022 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.12W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 1461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 146+ | 1.71 EUR |
| 298+ | 0.79 EUR |
| 371+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |




