Produkte > DIODES ZETEX > DMG6402LVT-7
DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7 Diodes Zetex

dmg6402lvt.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2189+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMG6402LVT-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: DMG6402LVT, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMG6402LVT-7 nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.9 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2189+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.086 EUR
24000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated DMG6402LVT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+0.3 EUR
590+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
518+0.33 EUR
531+0.32 EUR
545+0.3 EUR
559+0.27 EUR
574+0.26 EUR
590+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 518 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 DIODES INCORPORATED DMG6402LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.58 EUR
188+0.45 EUR
223+0.38 EUR
306+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 DIODES INC. DMG6402LVT.pdf Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 7705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.69 EUR
532+0.44 EUR
1031+0.2 EUR
1112+0.19 EUR
1640+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated DMG6402LVT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
auf Bestellung 21577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated DMG6402LVT.pdf MOSFETs 30V N-Ch 30mOhm 10V VGS 30V 6A
auf Bestellung 9722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.23 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 DIODES INC. DMG6402LVT.pdf Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 1642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.9 EUR
441+0.52 EUR
685+0.31 EUR
962+0.23 EUR
1087+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 dmg6402lvt.pdf
DMG6402LVT-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2189+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 dmg6402lvt.pdf
DMG6402LVT-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 dmg6402lvt.pdf
DMG6402LVT-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.086 EUR
24000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 dmg6402lvt.pdf
DMG6402LVT-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 dmg6402lvt.pdf
DMG6402LVT-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
574+0.3 EUR
590+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 dmg6402lvt.pdf
DMG6402LVT-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
518+0.33 EUR
531+0.32 EUR
545+0.3 EUR
559+0.27 EUR
574+0.26 EUR
590+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 518 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
148+0.58 EUR
188+0.45 EUR
223+0.38 EUR
306+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 7705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
362+0.69 EUR
532+0.44 EUR
1031+0.2 EUR
1112+0.19 EUR
1640+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
auf Bestellung 21577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch 30mOhm 10V VGS 30V 6A
auf Bestellung 9722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.23 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 1642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+0.9 EUR
441+0.52 EUR
685+0.31 EUR
962+0.23 EUR
1087+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH