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Technische Details DMG6402LVT-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: DMG6402LVT, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMG6402LVT-7 nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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DMG6402LVT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 432000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG6402LVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V |
auf Bestellung 552000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG6402LVT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 1601 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG6402LVT-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26 Case: TSOT26 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2330 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMG6402LVT-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26 Case: TSOT26 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
auf Bestellung 2330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG6402LVT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 1601 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG6402LVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V |
auf Bestellung 556677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG6402LVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 30V N-Ch 30mOhm 10V VGS 30V 6A |
auf Bestellung 5860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG6402LVT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: DMG6402LVT productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG6402LVT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.75W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TSOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: DMG6402LVT productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 7705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG6402LVT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
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