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DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7 Diodes Zetex


dmg6402lvt.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
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Technische Details DMG6402LVT-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: DMG6402LVT, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Hersteller : Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
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DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG6402LVT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
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3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Hersteller : Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 1601 Stücke:
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814+0.18 EUR
822+0.17 EUR
865+0.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 814
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DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG6402LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Case: TSOT26
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2330 Stücke:
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Anzahl Preis
148+0.49 EUR
233+0.31 EUR
293+0.24 EUR
414+0.17 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 148
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DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG6402LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Case: TSOT26
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
233+0.31 EUR
293+0.24 EUR
414+0.17 EUR
725+0.10 EUR
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Mindestbestellmenge: 148
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DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Hersteller : Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 1601 Stücke:
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Anzahl Preis
277+0.54 EUR
372+0.38 EUR
384+0.36 EUR
814+0.16 EUR
822+0.15 EUR
865+0.14 EUR
1136+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 277
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DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG6402LVT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
auf Bestellung 556677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+0.62 EUR
41+0.44 EUR
100+0.22 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363357_1-2543231.pdf MOSFET 30V N-Ch 30mOhm 10V VGS 30V 6A
auf Bestellung 5860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0008363357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5645 Stücke:
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DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Hersteller : DIODES INC. DMG6402LVT.pdf Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 7705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Hersteller : Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
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