DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 99000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung Pd: 850mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung, p-Kanal: 850mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 850mW, Betriebswiderstand, Rds(on): -, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMG6601LVT-7 nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMG6601LVT-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Case: TSOT26 Mounting: SMD Power dissipation: 0.54W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3/-2A On-state resistance: 0.065/0.142Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 3080 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMG6601LVT-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Case: TSOT26 Mounting: SMD Power dissipation: 0.54W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3/-2A On-state resistance: 0.065/0.142Ω Type of transistor: N/P-MOSFET |
auf Bestellung 3080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG6601LVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 850mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active |
auf Bestellung 101277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG6601LVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET |
auf Bestellung 388044 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DMG6601LVT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung Pd: 850mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung, p-Kanal: 850mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 850mW Betriebswiderstand, Rds(on): - Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 7135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG6601LVT-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6601LVT-7 | Hersteller : DIODES/ZETEX |
Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 DMG6601LVT-7 TDMG6601lvt Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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