Produkte > DIODES ZETEX > DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7 Diodes Zetex

346dmg6601lvt.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMG6601LVT-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 850mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 850mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote DMG6601LVT-7 nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Hersteller : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG6601LVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
6000+0.10 EUR
9000+0.10 EUR
15000+0.10 EUR
21000+0.10 EUR
30000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG6601LVT-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
228+0.31 EUR
280+0.26 EUR
463+0.15 EUR
550+0.13 EUR
667+0.11 EUR
695+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG6601LVT-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
228+0.31 EUR
280+0.26 EUR
463+0.15 EUR
550+0.13 EUR
667+0.11 EUR
695+0.10 EUR
725+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG6601LVT.pdf MOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
auf Bestellung 359069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.60 EUR
10+0.33 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.10 EUR
24000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG6601LVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 31170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.65 EUR
45+0.40 EUR
103+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Hersteller : DIODES INC. DIODS20273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Hersteller : DIODES INC. DIODS20273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 Hersteller : DIODES/ZETEX DMG6601LVT.pdf Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 DMG6601LVT-7 TDMG6601lvt
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Hersteller : Diodes Inc 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Hersteller : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Hersteller : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH