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DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7 Diodes Zetex

346dmg6601lvt.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
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Technische Details DMG6601LVT-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 850mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 850mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
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DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 DIODES/ZETEX info-tdmg6601lvt.pdf Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 DMG6601LVT-7 TDMG6601lvt
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated DMG6601LVT.pdf MOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
auf Bestellung 128382 Stücke:
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5+0.76 EUR
10+0.44 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
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3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated DMG6601LVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
43+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 DIODES INC. DIODS20273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.93 EUR
506+0.46 EUR
1038+0.2 EUR
1134+0.19 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 DIODES INC. DMG6601LVT.pdf Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+1.02 EUR
397+0.58 EUR
676+0.32 EUR
893+0.24 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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DMG6601LVT-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
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Hersteller: DIODES/ZETEX
Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 DMG6601LVT-7 TDMG6601lvt
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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DMG6601LVT-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
auf Bestellung 128382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.76 EUR
10+0.44 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMG6601LVT-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+0.8 EUR
43+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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DMG6601LVT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.93 EUR
506+0.46 EUR
1038+0.2 EUR
1134+0.19 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DMG6601LVT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
244+1.02 EUR
397+0.58 EUR
676+0.32 EUR
893+0.24 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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