DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 3780000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung Pd: 840mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung, p-Kanal: 840mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 840mW, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMG6602SVT-7 nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMG6602SVT-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.112W Polarisation: unipolar Drain current: 2.8/-3.4A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30/-30V Kind of transistor: complementary pair Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: TSOT26 On-state resistance: 0.06/0.095Ω Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 4165 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMG6602SVT-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.112W Polarisation: unipolar Drain current: 2.8/-3.4A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30/-30V Kind of transistor: complementary pair Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: TSOT26 On-state resistance: 0.06/0.095Ω Mounting: SMD |
auf Bestellung 4165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG6602SVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Not For New Designs |
auf Bestellung 3783805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG6602SVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K |
auf Bestellung 675173 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DMG6602SVT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung Pd: 840mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung, p-Kanal: 840mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 840mW Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 17765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG6602SVT-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 360000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG6602SVT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMG6602SVT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |