Produkte > DIODES INCORPORATED > DMG6898LSDQ-13
DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated


DMG6898LSD.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.55 EUR
5000+0.52 EUR
12500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote DMG6898LSDQ-13 nach Preis ab 0.51 EUR bis 1.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSDQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMG6898LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 24984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.43 EUR
15+1.25 EUR
100+0.86 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSDQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0000148450_1-2541912.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss
auf Bestellung 10546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.57 EUR
10+1.13 EUR
100+0.78 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSDQ-13 Hersteller : DIODES INC. DMG6898LSD.pdf Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSDQ-13 Hersteller : DIODES INC. DMG6898LSD.pdf Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH