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Technische Details DMG7430LFG-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 0.007 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMG7430LFG-7 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMG7430LFG-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R |
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DMG7430LFG-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R |
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DMG7430LFG-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG7430LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.2A; 0.9W; PowerDI®3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Case: PowerDI®3333-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 0.9W Drain current: 9.2A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMG7430LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.2A; 0.9W; PowerDI®3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Case: PowerDI®3333-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 0.9W Drain current: 9.2A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Polarisation: unipolar |
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DMG7430LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V |
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DMG7430LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2K |
auf Bestellung 100977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG7430LFG-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG7430LFG-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 0.007 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMG7430LFG-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 0.007 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 900mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMG7430LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V |
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