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Technische Details DMG7430LFG-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 0.007 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMG7430LFG-7 nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG7430LFG-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG7430LFG-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2K |
auf Bestellung 100977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG7430LFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 0.007 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 900mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG7430LFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 7000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
auf Bestellung 2060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG7430LFG-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG7430LFG-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.17 EUR |
| 4000+ | 0.15 EUR |
| DMG7430LFG-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.17 EUR |
| 4000+ | 0.15 EUR |
| DMG7430LFG-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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|---|---|
| 2000+ | 0.17 EUR |
| 4000+ | 0.14 EUR |
| DMG7430LFG-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2K
auf Bestellung 100977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.64 EUR |
| 10+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.26 EUR |
| 2000+ | 0.21 EUR |
| 4000+ | 0.2 EUR |
| 24000+ | 0.19 EUR |
| DMG7430LFG-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 0.007 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 0.007 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 338+ | 0.74 EUR |
| 503+ | 0.46 EUR |
| 814+ | 0.26 EUR |
| 870+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| DMG7430LFG-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 7000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 7000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 243+ | 1.04 EUR |
| 329+ | 0.7 EUR |
| 481+ | 0.44 EUR |
| 633+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| DMG7430LFG-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.07 EUR |
| 32+ | 0.65 EUR |
| 100+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| DMG7430LFG-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)