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DMG7430LFGQ-13

DMG7430LFGQ-13 Diodes Incorporated


DMG7430LFGQ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
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Technische Details DMG7430LFGQ-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 3.5W, Mounting: SMD, Case: PowerDI3333-8, Pulsed drain current: 90A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 11A, On-state resistance: 15mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 26.7nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DMG7430LFGQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG7430LFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 3.5W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: 90A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMG7430LFGQ-13 DMG7430LFGQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363593_1-2543114.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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DMG7430LFGQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG7430LFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 3.5W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: 90A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
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