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Technische Details DMG7430LFGQ-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 3.5W, Mounting: SMD, Case: PowerDI3333-8, Pulsed drain current: 90A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 11A, On-state resistance: 15mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 26.7nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote DMG7430LFGQ-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| DMG7430LFGQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 3.5W Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Pulsed drain current: 90A Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 26.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMG7430LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 |
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| DMG7430LFGQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 3.5W Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Pulsed drain current: 90A Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 26.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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