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DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated

ds31798.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
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Technische Details DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 3.9A, Pulsed drain current: 31A, Power dissipation: 0.87W, Case: TSSOP8, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 37mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 9.6nC, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMG8822UTS-13 DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated ds31798.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
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