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DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated


ds31798.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
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Technische Details DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8, Mounting: SMD, Case: TSSOP8, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 3.9A, On-state resistance: 37mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.87W, Polarisation: unipolar, Kind of package: 13 inch reel; tape, Gate charge: 9.6nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 31A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMG8822UTS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31798.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.87W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 9.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 31A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG8822UTS-13 DMG8822UTS-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31798.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
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DMG8822UTS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31798.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.87W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 9.6nC
Kind of channel: enhancement
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