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DMG9926USD-13

DMG9926USD-13 Diodes Incorporated

ds31757.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 67500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.39 EUR
7500+0.35 EUR
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Technische Details DMG9926USD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG9926USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMG9926USD-13 DMG9926USD-13 Diodes Incorporated ds31757.pdf MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL
auf Bestellung 3484 Stücke:
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3+1.64 EUR
10+0.98 EUR
100+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMG9926USD-13 DMG9926USD-13 Diodes Incorporated ds31757.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 69071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
25+0.86 EUR
50+0.75 EUR
100+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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DMG9926USD-13 DMG9926USD-13 DIODES INC. DIODS21307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG9926USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.05 EUR
182+1.29 EUR
289+0.74 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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DMG9926USD-13 DMG9926USD-13 DIODES INC. DIODS21307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG9926USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.05 EUR
182+1.29 EUR
289+0.74 EUR
500+0.7 EUR
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MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL
auf Bestellung 3484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.69 EUR
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DMG9926USD-13
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Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 4.5V
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FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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DMG9926USD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG9926USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
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Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
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Bauform - Transistor: SOIC
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2059 Stücke:
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122+2.05 EUR
182+1.29 EUR
289+0.74 EUR
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Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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DMG9926USD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG9926USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+2.05 EUR
182+1.29 EUR
289+0.74 EUR
500+0.7 EUR
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Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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