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DMGD7N45SSD-13 Diodes Incorporated


DMGD7N45SSD.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Power - Max: 1.64W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 822500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.29 EUR
5000+1.15 EUR
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Technische Details DMGD7N45SSD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMGD7N45SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 450V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 450V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.64W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMGD7N45SSD-13 nach Preis ab 1.31 EUR bis 4.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD-13 DIODES INC. DMGD7N45SSD.pdf Description: DIODES INC. - DMGD7N45SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 450V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 450V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.64W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
112+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD-13 Diodes Incorporated DMGD7N45SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Power - Max: 1.64W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 823977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.63 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD-13 Diodes Incorporated DMGD7N45SSD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 251V-500V
auf Bestellung 5004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.57 EUR
100+1.86 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.34 EUR
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DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD-13 DIODES INC. DMGD7N45SSD.pdf Description: DIODES INC. - DMGD7N45SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 450V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 450V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.64W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
76+3.08 EUR
112+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD.pdf
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMGD7N45SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 3 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 450V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 450V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.64W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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AnzahlPrivatkunde
100+3.08 EUR
112+1.93 EUR
500+1.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Power - Max: 1.64W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 823977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Diodes Incorporated
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AnzahlPrivatkunde
1+4.25 EUR
10+2.57 EUR
100+1.86 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.34 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMGD7N45SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 3 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 450V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 450V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.64W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2449 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
53+4.77 EUR
76+3.08 EUR
112+1.93 EUR
500+1.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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