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DMHC10H170SFJ-13

DMHC10H170SFJ-13 Diodes Incorporated

DMHC10H170SFJ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
auf Bestellung 39000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.82 EUR
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Technische Details DMHC10H170SFJ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMHC10H170SFJ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.9 A, 2.9 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.111ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: VDFN5045, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.111ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMHC10H170SFJ-13 nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMHC10H170SFJ-13 DMHC10H170SFJ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMHC10H170SFJ.pdf MOSFETs 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
auf Bestellung 3160 Stücke:
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100+1.32 EUR
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1000+0.91 EUR
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6000+0.82 EUR
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DMHC10H170SFJ-13 DMHC10H170SFJ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMHC10H170SFJ.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
auf Bestellung 42007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.99 EUR
10+1.91 EUR
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500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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DMHC10H170SFJ-13 DMHC10H170SFJ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001400531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMHC10H170SFJ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.9 A, 2.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VDFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2880 Stücke:
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DMHC10H170SFJ-13 DMHC10H170SFJ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001400531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMHC10H170SFJ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.9 A, 2.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VDFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2880 Stücke:
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DMHC10H170SFJ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmhc10h170sfj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R
auf Bestellung 279000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.68 EUR
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DMHC10H170SFJ-13 DMHC10H170SFJ-13 Hersteller : Diodes Inc dmhc10h170sfj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R
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DMHC10H170SFJ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMHC10H170SFJ.pdf DMHC10H170SFJ-13 Multi channel transistors
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DMHC10H170SFJ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmhc10h170sfj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R
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