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DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13 Diodes Zetex

1259740704270563dmhc3025lsd.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMHC3025LSD-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMHC3025LSD.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.51 EUR
5000+0.49 EUR
7500+0.48 EUR
12500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMHC3025LSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7/11.4nC
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
On-state resistance: 25/50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
87+0.83 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 69
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DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMHC3025LSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7/11.4nC
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
On-state resistance: 25/50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
87+0.83 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 69
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DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMHC3025LSD.pdf MOSFETs 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS
auf Bestellung 61511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.67 EUR
10+1.29 EUR
25+1.27 EUR
100+0.84 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.60 EUR
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMHC3025LSD.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 62615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.04 EUR
14+1.29 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004140762-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Hersteller : DIODES INC. DMHC3025LSD.pdf Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Hersteller : Diodes Inc 1259740704270563dmhc3025lsd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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DMHC3025LSD-13
Produktcode: 181374
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DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Hersteller : Diodes Zetex 1259740704270563dmhc3025lsd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
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DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Hersteller : Diodes Zetex 1259740704270563dmhc3025lsd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
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