DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMHC6070LSD-13 nach Preis ab 0.74 EUR bis 2.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMHC6070LSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
auf Bestellung 11913 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMHC6070LSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
auf Bestellung 6573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMHC6070LSD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMHC6070LSD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMHC6070LSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMHC6070LSD-13 Multi channel transistors |
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