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DMHC6070LSD-13

DMHC6070LSD-13 DIODES INC.

DIOD-S-A0002822577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A
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Qualifikation: -
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Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1953 Stücke:
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Technische Details DMHC6070LSD-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMHC6070LSD-13 DMHC6070LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002822577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A
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DMHC6070LSD-13 DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated DMHC6070LSD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
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DMHC6070LSD-13
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Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A
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Hersteller: Diodes Incorporated
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