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DMHT10H032LFJ-13

DMHT10H032LFJ-13 Diodes Incorporated

DIOD_S_A0012994397_1-2513076.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN5045-12 T and R 3K
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Technische Details DMHT10H032LFJ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: DFN5045, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, Verlustleistung: 900mW, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, Dauer-Drainstrom Id: 6A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, usEccn: EAR99, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 900mW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMHT10H032LFJ-13 DMHT10H032LFJ-13 Hersteller : DIODES INC. 3168374.pdf Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
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Verlustleistung Pd: 900mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMHT10H032LFJ-13 DMHT10H032LFJ-13 Hersteller : DIODES INC. 3168374.pdf Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
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Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMHT10H032LFJ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMHT10H032LFJ.pdf Description: MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
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Mindestbestellmenge: 3000
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