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DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC.


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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: DFN5045, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, Verlustleistung: 900mW, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, Dauer-Drainstrom Id: 6A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, usEccn: EAR99, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 900mW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMHT10H032LFJ-13 nach Preis ab 0.88 EUR bis 6.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMHT10H032LFJ-13 DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC. 3168374.pdf Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: DFN5045
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Verlustleistung: 900mW
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
usEccn: EAR99
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 900mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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40+6.34 EUR
53+4.39 EUR
100+3.64 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.76 EUR
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DMHT10H032LFJ-13 DMHT10H032LFJ-13 Diodes Incorporated DMHT10H032LFJ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN5045-12 T&R 3K
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: DFN5045
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Verlustleistung: 900mW
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
usEccn: EAR99
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 900mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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40+6.34 EUR
53+4.39 EUR
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10+4.44 EUR
100+3.62 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.89 EUR
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