DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 6 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.5 V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Technische Details DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 6 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMHT10H032LFJ-13 nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMHT10H032LFJ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 6 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2511 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMHT10H032LFJ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN5045-12 T&R 3K |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMHT10H032LFJ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C) |
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