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DMHT10H032LFJ-13

DMHT10H032LFJ-13 Diodes Incorporated

DMHT10H032LFJ.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN5045-12(Type C) T&R 3K
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Technische Details DMHT10H032LFJ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, usEccn: EAR99, Bauform - Transistor: DFN5045, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, Verlustleistung: 900mW, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Drain-Source-Spannung Vds: 100V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, Dauer-Drainstrom Id: 6A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 900mW, euEccn: NLR.

Weitere Produktangebote DMHT10H032LFJ-13 nach Preis ab 1.5 EUR bis 4.3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMHT10H032LFJ-13 DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC. 3168374.pdf Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Bauform - Transistor: DFN5045
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Verlustleistung: 900mW
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 900mW
euEccn: NLR
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123+1.89 EUR
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500+1.54 EUR
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DMHT10H032LFJ-13 DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC. 3168374.pdf Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
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123+1.89 EUR
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DMHT10H032LFJ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Bauform - Transistor: DFN5045
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Verlustleistung: 900mW
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 900mW
euEccn: NLR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
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100+4.3 EUR
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138+1.56 EUR
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