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DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated

DMHT6016LFJ.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.32 EUR
6000+1.24 EUR
9000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: V-DFN5045, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMHT6016LFJ-13 DMHT6016LFJ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003108750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
103+2.08 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMHT6016LFJ-13 DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated DMHT6016LFJ.pdf Description: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
auf Bestellung 12983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMHT6016LFJ-13 DMHT6016LFJ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003108750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.15 EUR
74+3.15 EUR
103+2.08 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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DMHT6016LFJ-13 DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated DMHT6016LFJ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 11940 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
1+5.57 EUR
10+3.61 EUR
100+2.49 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.93 EUR
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DMHT6016LFJ-13 DIOD-S-A0003108750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMHT6016LFJ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.15 EUR
103+2.08 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMHT6016LFJ-13 DMHT6016LFJ.pdf
DMHT6016LFJ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
auf Bestellung 12983 Stücke:
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10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMHT6016LFJ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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10+3.61 EUR
100+2.49 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH