Produkte > DIODES ZETEX > DMMT5551-7-F
DMMT5551-7-F

DMMT5551-7-F Diodes Zetex

ds30436.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMMT5551-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA.

Weitere Produktangebote DMMT5551-7-F nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.12 EUR
9000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.14 EUR
6000+ 0.12 EUR
12000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30436.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 339000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.22 EUR
6000+ 0.21 EUR
9000+ 0.19 EUR
75000+ 0.16 EUR
150000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
468+0.33 EUR
858+ 0.18 EUR
867+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 468
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED DMMT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
203+0.35 EUR
439+ 0.16 EUR
500+ 0.14 EUR
570+ 0.13 EUR
603+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 203
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED DMMT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
203+0.35 EUR
439+ 0.16 EUR
500+ 0.14 EUR
570+ 0.13 EUR
603+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 203
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
331+0.47 EUR
428+ 0.35 EUR
468+ 0.31 EUR
858+ 0.16 EUR
867+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 331
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30436.pdf Bipolar Transistors - BJT MATCHED NPN
auf Bestellung 4456 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
56+0.94 EUR
79+ 0.66 EUR
170+ 0.31 EUR
1000+ 0.23 EUR
3000+ 0.21 EUR
9000+ 0.19 EUR
24000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 56
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30436.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 341636 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+0.99 EUR
38+ 0.7 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 27
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : DIODES INC. ds30436.pdf Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : DIODES INC. ds30436.pdf Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Inc ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar