DMMT5551S-7-F Diodes Zetex
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Technische Details DMMT5551S-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMMT5551S-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PW Series, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMMT5551S-7-F nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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DMMT5551S-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
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DMMT5551S-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
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DMMT5551S-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR |
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DMMT5551S-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMMT5551S-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMMT5551S-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMMT5551S-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMMT5551S-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R |
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DMMT5551S-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R |
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DMMT5551S-7-F | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R |
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DMMT5551S-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 160V Current gain: 50...250 Collector current: 0.2A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT26 Frequency: 100...300MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMMT5551S-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 160V Current gain: 50...250 Collector current: 0.2A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT26 Frequency: 100...300MHz |
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