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DMN1003UCA6-7

DMN1003UCA6-7 Diodes Incorporated

DMN1003UCA6.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6
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Technische Details DMN1003UCA6-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.67W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: X3-DSN3518-6.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN1003UCA6-7 DMN1003UCA6-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN1003UCA6.pdf Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6
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DMN1003UCA6-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691388_1-2543272.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
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DMN1003UCA6-7 Hersteller : Diodes Inc dmn1003uca6.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R
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