auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.24 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMN1004UFDF-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMN1004UFDF-7 nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN1004UFDF-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1004UFDF-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V |
auf Bestellung 11990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1004UFDF-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V |
auf Bestellung 11681 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1004UFDF-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
DMN1004UFDF-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
DMN1004UFDF-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
DMN1004UFDF-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| DMN1004UFDF-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Drain current: 12A On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.1W Kind of package: reel; tape Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 70A Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| DMN1004UFDF-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Drain current: 12A On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.1W Kind of package: reel; tape Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 70A Case: U-DFN2020-6 |
Produkt ist nicht verfügbar |