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Technische Details DMN1004UFV-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMN1004UFV-7 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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DMN1004UFV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V |
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DMN1004UFV-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Drain current: 55A On-state resistance: 5.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: PowerDI®3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1846 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMN1004UFV-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Drain current: 55A On-state resistance: 5.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: PowerDI®3333-8 |
auf Bestellung 1846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN1004UFV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V |
auf Bestellung 101832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN1004UFV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
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DMN1004UFV-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 900mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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DMN1004UFV-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 900mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN1004UFV-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN1004UFV-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R |
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