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DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7 Diodes Zetex

dmn1019ufde.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
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Technische Details DMN1019UFDE-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.17W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN1019UFDE.pdf Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V
auf Bestellung 870000 Stücke:
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DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN1019UFDE.pdf Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V
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DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN1019UFDE.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
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Anzahl Preis
3+1.15 EUR
10+0.72 EUR
100+0.41 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 3
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DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE-7 Hersteller : DIODES INC. DMN1019UFDE.pdf Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.17W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE-7 Hersteller : DIODES INC. DMN1019UFDE.pdf Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.17W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn1019ufde.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 296 Stücke:
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DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE-7 Hersteller : Diodes Inc 296dmn1019ufde.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
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DMN1019UFDE-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN1019UFDE.pdf DMN1019UFDE-7 SMD N channel transistors
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