DMN1019USN-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
auf Bestellung 150000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10000+ | 0.19 EUR |
| 20000+ | 0.17 EUR |
| 50000+ | 0.16 EUR |
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Technische Details DMN1019USN-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 680mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680mW, Bauform - Transistor: SC-59, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMN1019USN-13 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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DMN1019USN-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 2030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN1019USN-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 2030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN1019USN-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W |
auf Bestellung 66999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN1019USN-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 680mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V |
auf Bestellung 151696 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN1019USN-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV euEccn: NLR Verlustleistung: 680mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 39462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN1019USN-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 680mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV euEccn: NLR Verlustleistung: 680mW Bauform - Transistor: SC-59 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMN1019USN-13 Produktcode: 121899
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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DMN1019USN-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R |
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DMN1019USN-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R |
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| DMN1019USN-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 8.8A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 0.83W Case: SC59 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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| DMN1019USN-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 8.8A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 0.83W Case: SC59 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
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