Produkte > DIODES INC. > DMN1019USN-7

DMN1019USN-7 DIODES INC.



Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.01 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN1019USN-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 680mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680mW, Bauform - Transistor: SC-59, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMN1019USN-7 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.33 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN1019USN-7 DMN1019USN-7 Diodes Incorporated DMN1019USN.pdf MOSFETs 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC
auf Bestellung 35659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.55 EUR
100+0.48 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019USN-7 DMN1019USN-7 DIODES INC. 2814395.pdf Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
304+0.76 EUR
625+0.35 EUR
658+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019USN-7 DMN1019USN-7 DIODES INC. 2814395.pdf Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
304+0.76 EUR
625+0.35 EUR
658+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019USN-7 Diodes MOSFET N-CH 12V 9.3A SC-59 Транзистори
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019USN-7 DMN1019USN.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC
auf Bestellung 35659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.23 EUR
10+0.55 EUR
100+0.48 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019USN-7 2814395.pdf
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
188+1.33 EUR
304+0.76 EUR
625+0.35 EUR
658+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019USN-7 2814395.pdf
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
188+1.33 EUR
304+0.76 EUR
625+0.35 EUR
658+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1019USN-7
Hersteller: Diodes
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC-59 Транзистори
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH