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Technische Details DMN1019USN-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 680mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680mW, Bauform - Transistor: SC-59, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMN1019USN-7 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMN1019USN-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R |
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DMN1019USN-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R |
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DMN1019USN-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 680mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V |
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DMN1019USN-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 680mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V |
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DMN1019USN-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC |
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DMN1019USN-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 680mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMN1019USN-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 680mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 680mW Bauform - Transistor: SC-59 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN1019USN-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN1019USN-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 680mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN1019USN-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC-59 |
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DMN1019USN-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R |
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DMN1019USN-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R |
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