| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.89 EUR |
| 10+ | 0.55 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.28 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
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Technische Details DMN1019UVT-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 7000 µohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.73W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DMN1019UVT-7 nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DMN1019UVT-7 | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN1019UVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 7000 µohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.73W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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DMN1019UVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 7000 µohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.73W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN1019UVT-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 0.9 EUR |
| 32+ | 0.55 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| DMN1019UVT-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 7000 µohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.73W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 7000 µohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 455 Stücke:
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| DMN1019UVT-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 7000 µohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 7000 µohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 455 Stücke:
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