DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 250+ | 0.29 EUR |
| 309+ | 0.23 EUR |
| 374+ | 0.19 EUR |
| 414+ | 0.17 EUR |
| 550+ | 0.13 EUR |
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Technische Details DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET x2, Case: U-DFN2020-6, Polarisation: unipolar, Gate charge: 23.1nC, On-state resistance: 38mΩ, Power dissipation: 1.7W, Drain current: 5.5A, Gate-source voltage: ±10V, Drain-source voltage: 12V, Pulsed drain current: 35A, Kind of package: 7 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote DMN1025UFDB-7 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DMN1025UFDB-7 | Diodes Incorporated |
 MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W |
auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN1025UFDB-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W
MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.14 EUR |
| 10+ | 0.65 EUR |
| 100+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |