DMN10H099SFG-13 Diodes Incorporated
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|---|---|
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| 10+ | 0.95 EUR |
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| 500+ | 0.54 EUR |
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Technische Details DMN10H099SFG-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 4.5A, On-state resistance: 99mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerDI3333-8, Power dissipation: 1.18W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 25.2nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 20A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN10H099SFG-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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DMN10H099SFG-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 |
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| DMN10H099SFG-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A On-state resistance: 99mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Power dissipation: 1.18W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| DMN10H099SFG-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A On-state resistance: 99mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Power dissipation: 1.18W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A |
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