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DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13 Diodes Zetex

201dmn10h120se.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details DMN10H120SE-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V.

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DMN10H120SE-13 DMN10H120SE-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN10H120SE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
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DMN10H120SE-13 DMN10H120SE-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN10H120SE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
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DMN10H120SE-13 DMN10H120SE-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN10H120SE.pdf MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
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3+1.02 EUR
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100+0.60 EUR
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1000+0.38 EUR
2500+0.33 EUR
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DMN10H120SE-13 DMN10H120SE-13 Hersteller : Diodes Inc 201dmn10h120se.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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DMN10H120SE-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN10H120SE.pdf DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
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