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DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7 Diodes Zetex

724dmn10h120sfg.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
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Technische Details DMN10H120SFG-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN10H120SFG-7 DMN10H120SFG-7 Diodes Incorporated DMN10H120SFG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.52 EUR
4000+0.48 EUR
6000+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
14000+0.42 EUR
20000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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DMN10H120SFG-7 DMN10H120SFG-7 Diodes Incorporated DMN10H120SFG.pdf MOSFETs FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
auf Bestellung 2772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+1.07 EUR
100+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMN10H120SFG-7 DMN10H120SFG-7 DIODES INC. DIODS21723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1982 Stücke:
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145+1.74 EUR
174+1.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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DMN10H120SFG-7 DMN10H120SFG-7 DIODES INC. DIODS21723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1982 Stücke:
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145+1.74 EUR
174+1.33 EUR
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500+0.64 EUR
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Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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DMN10H120SFG-7 DMN10H120SFG-7 Diodes Incorporated DMN10H120SFG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
auf Bestellung 40601 Stücke:
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11+1.99 EUR
17+1.25 EUR
100+0.81 EUR
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DMN10H120SFG-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
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1000+0.54 EUR
2000+0.44 EUR
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DMN10H120SFG-7 DIODS21723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN10H120SFG-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1982 Stücke:
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174+1.33 EUR
278+0.77 EUR
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DMN10H120SFG-7 DIODS21723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN10H120SFG-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1982 Stücke:
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145+1.74 EUR
174+1.33 EUR
278+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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DMN10H120SFG-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
auf Bestellung 40601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.99 EUR
17+1.25 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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