DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.48 EUR |
| 5000+ | 0.44 EUR |
| 7500+ | 0.42 EUR |
| 12500+ | 0.39 EUR |
| 17500+ | 0.38 EUR |
| 25000+ | 0.37 EUR |
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Technische Details DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DMN10H170SK3-13 nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-CH MOSFET 100V 12A |
auf Bestellung 23217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V |
auf Bestellung 47940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN10H170SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN10H170SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN10H170SK3-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-CH MOSFET 100V 12A
MOSFETs 100V N-CH MOSFET 100V 12A
auf Bestellung 23217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.11 EUR |
| 10+ | 0.98 EUR |
| 100+ | 0.54 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| DMN10H170SK3-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
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Supplier Device Package: TO-252-3
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
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Supplier Device Package: TO-252-3
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auf Bestellung 47940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 1.88 EUR |
| 18+ | 1.18 EUR |
| 100+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| DMN10H170SK3-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 110+ | 2.28 EUR |
| 175+ | 1.33 EUR |
| 267+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| DMN10H170SK3-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 12A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN10H170SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.099 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 110+ | 2.28 EUR |
| 175+ | 1.33 EUR |
| 267+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |